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学术报告第201757期

发布时间:2017-11-02 编辑:朱平 来源:

报告题目:Active Voltage Control for High-power IGBT and MOSFET高功率IGBTMOSFET的有源电压控制技术

报告人:杨鑫

报告时间:2017117 下午3:00—4:00

报告地点:南一楼中311

报告摘要:

IGBTMOSFET是目前最重要的两种电力半导体器件,在电能变换领域有重要的应用。本报告主要介绍一种智能IGBTMOSFET门极驱动控制技术。该技术可以有效控制IGBTMOSFET开通与关断的瞬态过程,降低由高速开关过程导致的电磁干扰,确保IGBTMOSFET始终在安全工作区域工作。此外,该技术可以用于多个IGBTMOSFET的串联,有效平衡各个器件的电压与电流,从而实现更高电压和功率等级。该技术在超高压直流输电(HVDC),大容量电力电子变流器,以及电力拖动等领域有广泛的应用前景。

报告人简介:

杨鑫,男,198712月出生,国家第十三批“青年千人计划”特聘研究员,湖南省“百人计划”特聘研究员,湖南省湖湘青年英才入选者,国防科技大学青年拔尖人才培养对象,国防科技大学助理教授。201510月,作为部队海外人才引进特招入伍。2009年本科毕业于华中科技大学电气与电子工程学院(电气工程及其自动化专业),2010年硕士毕业于英国帝国理工学院(模拟与数字集成电路专业),2014年博士毕业于英国剑桥大学电子工程系后,在英国工程与自然科学研究理事会(EPSRC)的支持下继续从事大功率电力电子器件应用研究,与英国Dynex, Fuji Electric,中车株洲等企业有长期的合作。研究方向是电力电子技术,电力半导体器件建模及其应用,电力电子可靠性研究。在国际高水平期刊/会议发表论文20余篇。现为IET Power Electronics 副主编,是IEEE Transactions on Power Electronics, IEEE Transactions on Industry Applications等多个著名期刊/会议审稿人,是科技部、国家留学基金委、湖南省人才计划等的特聘评审专家。曾获剑桥大学海外学生奖学金, IEEE IECON Studentship,太古集团Henry Lester Trust, 剑桥大学Lundgren Fund, 剑桥大学圣凯瑟琳学院奖学金等。现主持国家自然科学基金一项,中央军委科技委重点基金项目一项,国家十三五重点研发计划公开任务一项,省级工程技术研究中心重点研发项目一项。